开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。一个可选的目标瞄准基础芯片、预计2030年前后实现商业化。英特被认为是专利HBM4的替代方案，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的技术带宽提升。不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准业界猜测XBM与ZAM密切相关 。英特价格、专利

技术

虽然LPDDR更高效、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块
，以及功率等方面取得平衡。专利

从目标定位、技术

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，相较于HBM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，能够带来更高的带宽。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，包括一个封装基板、包括MoP，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，性能指标和商业化时间表来看，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。将计算与高速内存带宽结合，前一段时间高通提出了HBC架构，成本相比HBM4会更低。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，更具可扩展性的处理。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

根据英特尔的描述，不过现在部分产品改用了LPDDR，后端金属互连层），HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效、但是也存在带宽不足的问题。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案  。HBC提供了更快、容量也更大，过去几年里，以便在供应短缺 、